Subscríbete ás nosas redes sociais para obter unha publicación rápida
O avance das tecnoloxías de láser de semicondutores foi transformador, impulsando melloras notables no rendemento, a eficiencia operativa e a durabilidade destes láseres.As versións de alta potencia empréganse cada vez máis nun espectro de aplicacións, que van desde usos comerciais na fabricación de láser, dispositivos médicos terapéuticos e solucións de visualización visual ata comunicacións estratéxicas, tanto terrestres como extraterrestres, e sistemas de orientación avanzados.Estes sofisticados láseres están á vangarda de varios sectores industriais de vangarda e están no centro da rivalidade tecnolóxica global entre as principais nacións.
Presentando a próxima xeración de pilas de barras de diodos láser
Asumindo o impulso de dispositivos máis pequenos e eficientes, a nosa empresa está orgullosa de presentar oserie refrigerada por conduciónLM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0.Esta serie supón un salto adiante, incorporando unión de coalescencia ao baleiro de vangarda, material de interface, tecnoloxía de fusión e xestión térmica dinámica para realizar produtos que están altamente integrados, funcionan cunha eficiencia notable e teñen un control térmico superior para unha fiabilidade sostida e unha vida útil máis longa. .
Facendo fronte ao desafío de aumentar as demandas de concentración de enerxía impulsada polo cambio de toda a industria á miniaturización, deseñamos a unidade pioneira LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0.Este modelo innovador logra unha redución dramática do paso dos produtos de barra convencionais de 0,73 mm a 0,38 mm, comprimindo substancialmente a área de emisión da pila.Con capacidade para albergar ata 10 bares, esta mellora amplía a saída do dispositivo a máis de 2000 W, o que supón un aumento do 92 % na densidade de potencia óptica con respecto aos seus predecesores.
Deseño modular
O noso modelo LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 é o epítome da meticulosa enxeñaría, que combina funcionalidade cun deseño compacto que ofrece unha versatilidade incomparable.A súa construción duradeira e o uso de compoñentes de primeira calidade garanten un funcionamento consistente cun mantemento mínimo, reducindo as interrupcións operativas e os custos asociados, unha vantaxe fundamental en sectores como a fabricación industrial e a saúde.
Pioneiro en solucións de xestión térmica
O LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 aproveita materiais termocondutores superiores que se aliñan co coeficiente de expansión térmica (CTE) da barra, garantindo uniformidade e excelente dispersión da calor.Aplicamos análise de elementos finitos para predecir e xestionar a paisaxe térmica do dispositivo, logrando unha regulación precisa da temperatura mediante unha combinación innovadora de modelado térmico transitorio e en estado estacionario.
Control Riguroso de Procesos
Adhiriéndose aos métodos tradicionais de soldeo duro pero efectivos, os nosos meticulosos protocolos de control de procesos manteñen unha disipación térmica óptima, salvagardando a integridade operativa do produto, así como a súa seguridade e lonxevidade.
Especificacións do produto
O modelo LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 caracterízase polo seu reducido factor de forma, peso reducido, eficiencia de conversión electro-óptica superior, fiabilidade robusta e unha vida útil prolongada.
| Parámetro | Especificación |
| Modelo de produto | LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 |
| Modo de operación | QCW |
| Frecuencia de pulso | ≤50 Hz |
| Ancho de pulso | 200 nós |
| Eficiencia | ≤ 1 % |
| Bar Pitch | 0,38 mm |
| Potencia por barra | 200 W |
| Número de barras | ～10 |
| Lonxitude de onda central (25 °C) | 808 nm |
| Ancho espectral | 2 nm |
| Ancho espectral FWHM | ≤4 nm |
| 90% de ancho de potencia | ≤6 nm |
| Diverxencia de eixos rápidos (FWHM) | 35 (típico) ° |
| Diverxencia de eixos lentos (FWHM) | 8 (típico) ° |
| Método de arrefriamento | TE |
| Coeficiente de temperatura de lonxitude de onda | ≤0,28 nm/°C |
| Corrente de funcionamento | ≤220 A |
| Limiar de corrente | ≤ 25 A |
| Tensión de funcionamento | ≤2 V |
| Eficiencia de pendente por barra | ≥1,1 W/A |
| Eficiencia de conversión | ≥55 % |
| Temperatura de operación | -45~70 °C |
| Temperatura de almacenamento | -55~85 °C |
| Vida útil | ≥1×10⁹ disparos |
Solucións láser de semicondutores compactos de alta potencia a medida
As nosas pilas láser de semicondutores vangardistas, compactas e de alta potencia están deseñadas para ser altamente adaptables.Adecuados para satisfacer as especificacións individuais dos clientes, incluíndo o reconto de barras, a potencia de saída e a lonxitude de onda, os nosos produtos son unha proba do noso compromiso de ofrecer solucións versátiles e innovadoras.O marco modular destas unidades garante que se poidan adaptar a unha ampla gama de usos, atendendo a unha clientela diversa.A nosa dedicación á creación de solucións personalizadas pioneiras levou á creación de produtos de barra cunha densidade de potencia inigualable, mellorando a experiencia do usuario dun xeito nunca antes posible.
Hora de publicación: 25-12-2023